长鑫存储技术有限公司邵光速获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310239031.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法和存储器是由邵光速设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和存储器，包括：提供衬底；于衬底上形成隔离层；于隔离层中形成沿第一方向延伸的第一牺牲层和第二牺牲层，且第一牺牲层至少部分包裹第二牺牲层；沿第二方向去除部分第一牺牲层和部分隔离层，形成字线沟槽；于字线沟槽内形成第三牺牲层；其中，第二牺牲层、第三牺牲层、被保留的隔离层和第一牺牲层构成一层堆叠层；继续形成若干层堆叠层，以形成包括至少一层堆叠层的堆叠结构；去除堆叠结构中的第三牺牲层，以暴露字线沟槽；于字线沟槽中形成字线结构。本公开实施例能够简化制备水平字线的工艺。
本发明授权一种半导体结构的制备方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成隔离层； 于所述隔离层中形成沿第一方向延伸的第一牺牲层和第二牺牲层，且所述第一牺牲层至少部分包裹所述第二牺牲层； 沿第二方向去除部分所述第一牺牲层和部分所述隔离层，形成字线沟槽； 于所述字线沟槽内形成第三牺牲层；其中，所述第二牺牲层、所述第三牺牲层、被保留的所述隔离层和所述第一牺牲层构成一层堆叠层； 继续形成若干层所述堆叠层，以形成包括至少一层所述堆叠层的堆叠结构； 去除所述堆叠结构中的所述第三牺牲层，以暴露所述字线沟槽； 于所述字线沟槽中形成字线结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励