上海精测半导体技术有限公司缪晖华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利一种缺陷复检的定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116128797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211382743.0，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种缺陷复检的定位方法是由缪晖华;周全设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缺陷复检的定位方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种缺陷复检的定位方法，包括：将晶圆划分为各个分区，根据各个分区的边缘处的晶粒标记点和或最靠近边缘的晶粒标记点中选择非位于同一直线上的至少三个晶粒标记点作为各个分区的标记点；根据各个标记点在晶圆坐标系和复检设备的检测坐标系的坐标，计算各个分区的晶圆坐标系和检测坐标系之间的坐标转换矩阵；根据各个分区的缺陷在晶圆坐标系下的坐标及分区对应的坐标转换矩阵，得到缺陷在检测坐标系下的坐标。通过将晶圆进行划分为各个区域后，基于各个区域的标记点的位置获取各个区域的坐标转换矩阵，从而通过初检设备的初检结果文件中缺陷的坐标得到缺陷在复检设备中的坐标，可以降低非线性误差的影响，获得缺陷的精确位置区域。
本发明授权一种缺陷复检的定位方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷复检的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括： 步骤1，根据晶圆的初检结果文件获得缺陷和晶粒中的晶粒标记点在晶圆坐标系的坐标，将晶圆划分为至少两个分区，在各个所述分区的边缘处的晶粒标记点和或最靠近边缘的晶粒标记点中选择非位于同一直线上的至少三个晶粒标记点作为各个分区的标记点；所述晶粒标记点为晶粒的顶点或晶粒上的对准点； 步骤2，获取各个所述标记点在复检设备的检测坐标系的坐标，根据各个所述标记点在晶圆坐标系和检测坐标系的坐标，计算各个所述分区在晶圆坐标系和检测坐标系之间的坐标转换矩阵； 步骤3，根据各个所述分区的缺陷在晶圆坐标系下的坐标及分区对应的所述坐标转换矩阵，得到所述缺陷在所述检测坐标系的坐标。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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