长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110980473.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由邵光速;肖德元;邱云松设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：在衬底内形成填充有第一介质层且沿第一方向延伸的多条第一沟槽；在所述衬底和所述第一介质层内形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽相互交叉，并在所述衬底内限定出多个分立的有源柱；在所述第二沟槽的侧壁沉积第二介质层；在所述第二沟槽内沉积牺牲层，所述牺牲层夹设于所述第二介质层之间；移除部分所述第一介质层和部分所述第二介质层，形成多条沿第二方向延伸的孔洞结构，所述孔洞结构环绕所述有源柱，且相邻的所述孔洞结构被所述牺牲层隔开；在所述孔洞结构内形成字线；移除所述牺牲层，以在相邻的所述字线之间形成气隙。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底内形成填充有第一介质层且沿第一方向延伸的多条第一沟槽，所述第一沟槽将所述衬底限定为多个沿第一方向延伸的结构体； 对所述衬底执行离子注入，分别在所述结构体的顶部和底部形成第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区； 在所述衬底和所述第一介质层内形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽相互交叉，并在所述衬底内限定出多个分立的有源柱； 在所述第二沟槽的侧壁沉积第二介质层； 在所述第二沟槽内沉积牺牲层，所述牺牲层夹设于所述第二介质层之间； 移除部分所述第一介质层和部分所述第二介质层，形成多条沿第二方向延伸的孔洞结构，所述孔洞结构环绕所述有源柱，且相邻的所述孔洞结构被所述牺牲层隔开； 在所述孔洞结构内形成字线； 移除所述牺牲层，以在相邻的所述字线之间形成气隙。
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