长鑫存储技术有限公司张世明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111090856.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由张世明;文浚硕;肖德元;朴淳秉;金若兰设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种半导体结构及半导体结构的制作方法，半导体结构包含衬底，衬底交叉布置有多条沟槽，使得衬底形成多个硅柱，沟槽中填充有隔离层；其中，硅柱顶部设置有导电层，导电层覆盖硅柱的顶面及邻接顶面的部分侧面，导电层用于与电容接触。通过上述设计，本申请能够利用导电层覆盖硅柱顶面及部分侧面的设计，增加硅柱与电容之间间接的电接触的接触面积，从而减小硅柱与电容之间的接触电阻，改善器件性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包含衬底，所述衬底交叉布置有多条沟槽，使得所述衬底形成多个硅柱，所述沟槽中填充有隔离层；其特征在于，所述硅柱顶部设置有导电层，所述导电层覆盖所述硅柱的顶面及邻接顶面的部分侧面，所述导电层用于与电容接触。
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