株式会社国际电气小川有人获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104617.1，技术领域涉及：H10P14/43；该发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及记录介质是由小川有人;栗林幸永设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：能够提高含金属膜的电特性、生产率中的至少任一者。本发明具有：a将基板收纳于处理容器的工序；b对基板供给含金属气体的工序；c对基板供给第一还原气体的工序；d对基板供给与第一还原气体不同的第二还原气体的工序，通过进行1次以上的b、c和d，在基板上形成含金属膜。
本发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，其特征在于，具有： a对基板供给包含钼、氧和氯的含钼气体的工序； b对所述基板供给由氢构成的第一还原气体的工序； c对所述基板供给包含氢和其他元素的第二还原气体的工序； d在c结束后，结束b，通过进行1次以上的a、b和c，在所述基板上形成含钼膜的工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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