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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111447226.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王晓光;李辉辉;章纬;曹堪宇设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供具有阵列区的基底，阵列区包括相邻设置的第一区域和第二区域；采用同一制备工艺在第一区域内形成第一存储器，以及在第二区域内形成第二存储器，制备工艺为用于制备第一存储器的工艺。本公开通过同一制备工艺在基底上同时形成第一存储器和第二存储器，使得同一半导体结构具有两种不同形式的存储器，如此设置，在简化半导体结构的制备步骤的同时，也能够提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有阵列区的基底，所述阵列区包括相邻设置的第一区域和第二区域； 采用同一制备工艺在所述第一区域内形成第一存储器，以及在所述第二区域内形成第二存储器，所述制备工艺为用于制备第一存储器的工艺； 在所述基底内形成间隔设置的多个有源区，以及用于分隔各个所述有源区的隔离结构； 在各个所述有源区内形成埋栅晶体管，其中，位于所述第一区域内的所述埋栅晶体管作为所述第一存储器的读写晶体管，位于所述第二区域内的所述埋栅晶体管作为所述第二存储器的读写晶体管； 在所述基底内形成间隔设置的多个凹槽，每个所述凹槽暴露出一个所述有源区的部分； 在每个所述凹槽内形成第一导电结构，其中，位于所述第一区域内的所述第一导电结构作为所述第一存储器的位线接触结构，位于所述第二区域内的所述第一导电结构作为所述第二存储器的源线接触结构； 在所述基底形成第一位线结构和源线结构，所述第一位线结构位于所述第一区域内，并与所述位线接触结构连接，所述源线结构位于所述第二区域内并与所述源线接触结构连接； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述第一位线结构和所述源线结构上； 在所述第一介质层内形成间隔设置的多个第二导电结构，其中，位于所述第一区域内的第二导电结构作为电容接触结构，所述电容接触结构与位于所述第一区域内的有源区电性连接，位于所述第二区域内的第二导电结构作为导电插塞，所述导电插塞与位于所述第二区域内的有源区电性连接； 在所述第一介质层上形成导电层； 图案化位于所述第二区域的导电层，形成间隔设置的多个底电极接触，其中，每个所述底电极接触与设置在位于第二区域内的一个导电插塞电性连接； 在每个所述底电极接触上形成磁性隧道结； 图形化位于所述第一区域的导电层，形成间隔设置的多个电容接触垫，多个所述电容接触垫与多个所述电容接触结构一一对应设置。

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