南通大学孙昊获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种多结端扩展的碳化硅功率二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310123710.2，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种多结端扩展的碳化硅功率二极管及其制备方法是由孙昊;余晨辉;刘可怡;华珈;葛子怡;罗曼设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多结端扩展的碳化硅功率二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多结端扩展的碳化硅功率二极管，功率二极管为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n++型SiC衬底层、i型SiC外延层；i型SiC外延层顶面中心设有p++型SiC层，在p++型SiC层的外周呈同心圆状设有p型JTE层，p型JTE层顶面覆盖有纳米永磁性颗粒层；沿着p型JTE层径向刻蚀若干个同心圆环状的沟槽结构，且沟槽结构内填充SiO22填充层，相邻沟槽结构之间形成p型SiC掺杂区。本发明在JTE终端结构基础上引入纳米永磁颗粒组成的外磁场和p型SiC掺杂区形成的内磁场有机结合，在p型JTE层引入沟槽结构可以使得p型SiC掺杂区形成规律排列，有效提高功率二极管器件的耐压值。
本发明授权一种多结端扩展的碳化硅功率二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多结端扩展的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述功率二极管为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n+型SiC衬底层1、i型SiC外延层2；所述i型SiC外延层2顶面中心设有圆片形的p+型SiC层3，在所述p+型SiC层3的外周呈同心圆状自内向外拓展形成环形结构的p型JTE层4，所述p型JTE层4顶面覆盖有纳米永磁性颗粒层5； 其中，沿着所述p型JTE层4径向刻蚀若干个同心圆环状的沟槽结构6，且沟槽结构6内填充SiO2填充层10，相邻沟槽结构6之间形成p型SiC掺杂区7，所述p型SiC掺杂区7是以p型SiC为基底并采用Al、Fe共掺杂形成掺杂区，且掺杂深度一致。
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