铠侠股份有限公司田岛诚一获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116528546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210561968.6，技术领域涉及：H05K7/20；该发明授权半导体存储装置是由田岛诚一设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：一实施方式提供一种能够谋求散热性提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备壳体、衬底、半导体存储器零件、控制器、及散热构造。所述散热构造具有多个第1散热片、多个第2散热片、及第1覆盖部。所述多个第1散热片设置在所述壳体的第1区域，且分别沿着从所述半导体存储器零件朝向所述控制器的第2方向延伸。所述多个第2散热片设置在所述壳体的第2区域，且在所述第2方向上远离所述多个第1散热片，并且分别沿着所述第2方向延伸。所述第1覆盖部配置在所述多个第1散热片与所述多个第2散热片之间，或者配置在所述多个第2散热片之间的间隙，且在从所述第2方向观察时覆盖所述多个第2散热片之间的间隙的至少一部分。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 壳体； 衬底，收容在所述壳体； 半导体存储器零件，安装在所述衬底； 控制器，安装在所述衬底，且能够控制所述半导体存储器零件；以及 散热构造，设置在所述壳体，且露出在所述壳体的外部； 所述壳体具有：第1区域，在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述半导体存储器零件重叠；以及第2区域，在所述第1方向上与所述控制器重叠； 所述散热构造具有： 多个第1散热片，设置在所述第1区域，且分别沿着从所述半导体存储器零件朝向所述控制器的第2方向延伸； 多个第2散热片，设置在所述第2区域，在所述第2方向上远离所述多个第1散热片，并且分别沿着所述第2方向延伸；以及 第1覆盖部，配置在所述多个第1散热片与所述多个第2散热片之间，或者配置在所述多个第2散热片之间的间隙，且在从所述第2方向观察时覆盖所述多个第2散热片之间的间隙的至少一部分。
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