重庆文理学院伏春平获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆文理学院申请的专利一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116665817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310637653.X，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器是由伏春平设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及二氧化锆材料技术领域，公开了一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器，包括建立包含二氧化锆材料本征结构和掺杂结构的固体物理模型；根据物理模型参数得到能带结构；在固体物理模型的基础上，获得掺杂结构稳定性分别与掺杂和温度的对应关系；根据对应关系得到掺杂金属的掺杂位置和掺杂比例，将掺杂金属添加进二氧化锆材料中，获得掺杂二氧化锆材料；将掺杂二氧化锆材料在900‑1200℃下煅烧2‑4h，最终制得传感器二氧化锆材料。本申请精准分析掺杂二氧化锆材料稳定性在离子掺杂和温度下的对应关系，进而得出最佳的掺杂位置和掺杂比例，降低掺杂对材料稳定性的影响，从而提高材料的稳定性，突破材料稳定性制备的极限。
本发明授权一种二氧化锆传感器材料制备方法及传感器在权利要求书中公布了：1.一种二氧化锆传感器材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，根据掺杂二氧化锆材料的形貌和微观结构建立包含二氧化锆材料本征结构和掺杂结构的固体物理模型，得到掺杂二氧化锆材料的物理模型参数； 步骤二，根据物理模型参数得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构； 步骤三，在固体物理模型的基础上，根据密度泛函理论第一性原理从能带结构中获得掺杂结构稳定性分别与掺杂和温度的对应关系； 步骤四，根据对应关系得到掺杂金属的掺杂位置和掺杂比例，将掺杂金属按照设定的掺杂位置和掺杂比例添加进二氧化锆材料中，获得掺杂二氧化锆材料； 步骤五，将掺杂二氧化锆材料在900-1200℃下煅烧2-4h，最终制得传感器二氧化锆材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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