华为技术有限公司张禹获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利铁电薄膜电容的结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116963587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210374731.7，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权铁电薄膜电容的结构和制备方法是由张禹;张恒;于方舟;李悦;孙一鸣;张敏设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电薄膜电容的结构和制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种铁电薄膜电容以及铁电薄膜电容的制备方法，本申请提供的铁电存储电容的结构，包括：第一金属电极；第二金属电极；铁电层，所述铁电层设置于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间；其中，所述铁电层的材料为锆掺杂二氧化铪材料，所述锆掺杂二氧化铪材料中掺杂有氮元素，该铁电薄膜电容通过在锆掺杂二氧化铪铁电层中原位注入氮元素，可以钝化薄膜沉积过程中受高温影响产生的氧空位；此外，在铁电薄膜电容使用过程中，可以于铁电层内部通过填补氧空位的方式减少电缺陷，从而改善由于氧空位累积导致的铁电薄膜印记效应和击穿现象，提高铁电薄膜电容的性能以及使用寿命。
本发明授权铁电薄膜电容的结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电薄膜电容的结构，其特征在于，包括： 第一金属电极； 第二金属电极； 铁电层，所述铁电层设置于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间；其中，所述铁电层的材料为锆掺杂二氧化铪材料，所述锆掺杂二氧化铪材料中掺杂有氮元素； 所述铁电层中靠近所述第一金属电极侧的第一区域掺杂所述氮元素的浓度，高于所述铁电层中远离所述第一金属电极侧的第二区域掺杂所述氮元素的浓度； 所述铁电层中靠近所述第二金属电极侧的第三区域掺杂所述氮元素的浓度，高于所述第二区域掺杂所述氮元素的浓度。
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