京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司关新兴获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117286449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311257964.X，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置是由关新兴;曾琪皓;刘浩;毕娜;刘佳宁;白珊珊设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置在说明书摘要公布了：本申请提供了掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置，通过多个基板进行连接组成掩膜板，并且使不同位置的基板的像素开口的尺寸不同，使掩膜板的不同区域的像素开口差异化设置，使位于掩膜板边缘的像素开口能够比像素开口同质化设置时蒸镀更多的有机材料，从而削弱蒸镀过程中的蒸镀阴影效应产生，减少待蒸镀基板边缘的蒸镀阴影效应，确保子像素的蒸镀效果，从而保证OLED显示面板的显示均匀性，并提高了OLED面板的显示品质，有利于制备高PPI的OLED显示面板，能够满足VR、AR等新型显示领域。
本发明授权掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置在权利要求书中公布了：1.一种掩膜板，其特征在于，包括： 互相连接的若干基板； 所述基板开设有多个不同尺寸的像素开口，靠近所述掩膜板的边缘的所述像素开口的尺寸大于远离所述掩膜板的边缘的所述像素开口的尺寸； 其中，所述基板包括朝向蒸发源的第一面，所述像素开口的靠近所述掩膜板的边缘的侧面与所述第一面之间的夹角的角度，大于远离所述掩膜板的边缘的侧面与所述第一面之间的夹角的角度；靠近所述掩膜板中心的所述基板的像素开口的侧面与所述第一面之间的夹角，大于远离所述掩膜板中心的所述基板的像素开口的侧面与所述第一面之间的夹角；靠近所述掩膜板中心的所述基板的尺寸，大于远离所述掩膜板中心的所述基板的尺寸。
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