美光科技公司E·S·卡曼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元的自刷新获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117413316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280039656.7，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权存储器单元的自刷新是由E·S·卡曼设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元的自刷新在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器单元的自刷新。与存储器单元耦合的控制器可经配置以将第一电压施加于第一晶体管的控制栅极，其中所述第一电压激活所述第一晶体管以基于存储于填隙栅极上的电荷选择性地将所述第一晶体管的端子彼此耦合。所述控制器可经配置以将电流施加于位线，其中所述位线的第二电压基于所述电流及存储于所述填隙栅极上的所述电荷。所述控制器可经配置以基于将所述第一电压施加于所述第一晶体管的所述控制栅极且将所述电流施加于所述位线而将第三电压施加于第二晶体管的栅极以将所述位线与所述第一晶体管的所述填隙栅极耦合。
本发明授权存储器单元的自刷新在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器单元，其包括： 第一晶体管，其包括控制栅极及填隙栅极，其中所述第一晶体管的第一端子与位线耦合；及 第二晶体管，其中所述第二晶体管的第一端子与所述位线耦合且所述第二晶体管的第二端子与所述第一晶体管的所述填隙栅极耦合；及 控制器，其与所述存储器单元耦合且经配置以： 使用与所述第一晶体管耦合的第一字线将第一电压施加于所述第一晶体管的所述控制栅极，其中所述第一电压激活所述第一晶体管以至少部分基于存储于所述填隙栅极上的电荷选择性地将所述第一晶体管的所述第一端子与所述第一晶体管的第二端子耦合； 将电流施加于所述位线，其中所述位线的第二电压至少部分基于将所述电流施加于所述位线及存储于所述第一晶体管的所述填隙栅极上的所述电荷；及 至少部分基于将所述第一电压施加于所述第一晶体管的所述控制栅极且将所述电流施加于所述位线而将第三电压施加于所述第二晶体管的栅极以将所述位线与所述第一晶体管的所述填隙栅极耦合，其中通过与所述第二晶体管耦合的第二字线施加所述第三电压，其中所述第二字线不同于所述第一字线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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