长鑫存储技术有限公司鲍锡飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法以及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118338661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310010668.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法以及存储器是由鲍锡飞;张旭设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法以及存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法以及存储器，其中，半导体结构包括：衬底；位线结构位于衬底表面，位线结构包括：位线主体；第一侧墙隔离层位于位线主体的侧壁，第一侧墙隔离层包括靠近衬底的第一部分和远离衬底的第二部分；第二侧墙隔离层位于第一侧墙隔离层的第二部分；电容接触结构位于相邻的位线结构之间，且电容接触结构包括：接触插塞，接触插塞位于衬底的表面，接触插塞覆盖第一侧墙隔离层的第一部分，且接触插塞的顶面与第二侧墙隔离层的底面接触；着陆垫，着陆垫位于接触插塞的顶面，且着陆垫还覆盖第二侧墙隔离层的表面、第一侧墙隔离层的部分顶面及位线主体的部分的顶面，可以提高半导体结构的可靠性。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法以及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位线结构，所述位线结构位于所述衬底表面，所述位线结构包括：位线主体；第一侧墙隔离层，所述第一侧墙隔离层位于所述位线主体的侧壁，所述第一侧墙隔离层包括靠近所述衬底的第一部分和远离所述衬底的第二部分；第二侧墙隔离层，所述第二侧墙隔离层位于所述第一侧墙隔离层的所述第二部分； 电容接触结构，所述电容接触结构位于所述位线结构的一侧，且所述电容接触结构包括：接触插塞，所述接触插塞位于所述衬底的表面，所述接触插塞覆盖所述第一侧墙隔离层的所述第一部分，且所述接触插塞的顶面与所述第二侧墙隔离层的底面接触；着陆垫，所述着陆垫位于所述接触插塞的顶面，且所述着陆垫还覆盖所述第二侧墙隔离层的表面、第一侧墙隔离层的部分顶面及位线主体的部分的顶面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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