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昆明理工大学席风硕获国家专利权

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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118412452B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410501802.4,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法是由席风硕;马文会;李绍元;魏奎先;陆继军;童仲秋;陈正杰;伍继君;万小涵;于洁设计研发完成,并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法,属于硅资源二次回收利用和锂离子电池技术领域。本发明首先对光伏晶硅废料预处理去除杂质,将预处理的光伏晶硅废料进行原位预锂化处理构建硅酸锂盐固态电解质;将预锂化硅料通过喷雾自组装方式得到高球形度硅碳微球;将硅碳微球通过流化床沉碳方式引入致密碳骨架,最终得到高首次库伦效率、高振实密度的高球形度硅碳负极材料。本发明为光伏产业晶硅废料的增值回用和高性能锂离子电池的构筑提供了新思路和新路径。

本发明授权一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法在权利要求书中公布了:1.一种光伏晶硅废料制备高首效高振实密度硅碳负极材料的方法,其特征在于,包括如下步骤: 1将光伏晶硅废料进行原位预锂化处理,得到预锂化硅料; 2将预锂化硅料、碳源、添加剂、造孔剂和溶剂混合后得到前驱体溶液,对前驱体溶液进行喷雾自组装得到硅碳微球; 3将硅碳微球进行沉碳反应,得到高首效高振实密度硅碳负极材料; 所述原位预锂化处理用到的锂源包括固相锂源和或液相锂源,所述锂源包含LiCl、LiOH、Li2CO3、Li2SO4、LiNa、LiBr、LiI、LiC2H3O2、LiNO3、Li3PO4和LiHSO4中的一种或几种,所述液相锂源的质量分数为0.1%~20%,锂源的加入量为预锂化硅料的0.1~10wt%; 所述原位预锂化处理的温度为60~1000℃,原位预锂化处理的时间为0.1~20h; 所述喷雾自组装的进料速度为0.01~100mLmin,进气速度为0.1~100mLmin,所通气体包括空气、氩气和氮气中的一种或几种,喷雾自组装的温度为100~300℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学,其通讯地址为:650093 云南省昆明市五华区文昌路68号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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