上海交通大学张永获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于表面等离子体的微环电光调制器的设计和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118550109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410791887.4，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权基于表面等离子体的微环电光调制器的设计和制备方法是由张永;王鑫;沈健;苏翼凯设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于表面等离子体的微环电光调制器的设计和制备方法在说明书摘要公布了：一种基于表面等离子体的微环电光调制器及其制备方法，包括：氧化硅层和铌酸锂层，其中：铌酸锂层上表面设有构成谐振环的欠耦合的硅跑道微环和直波导，直波导的两端分别为输入端和输出端，铌酸锂层中设有将光波转化为表面等离子体波的铌酸锂尖锥模式转换结构、铌酸锂脊波导和一对金电极，铌酸锂层和硅层之间设置用于光向上或向下传播的垂直耦合结构。本发明利用带有表面等离子体波导的硅微环，增强对光场的局域作用，显著提高调制器的调制效率，实现了大的带宽。同时设计过耦合微环，只有特定波长光耦合进入微环中，进行高速调制，削减了只靠表面等离子体传输带来的极大传输损耗。
本发明授权基于表面等离子体的微环电光调制器的设计和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于表面等离子体的微环电光调制器，其特征在于，包括：氧化硅层和铌酸锂层，其中：铌酸锂层上表面设有构成谐振环的欠耦合的硅跑道微环和直波导，铌酸锂层中设有铌酸锂尖锥模式转换结构、铌酸锂脊波导和一对金电极，直波导的两端分别为输入端和输出端，铌酸锂脊波导位于一对金电极之间； 所述的硅跑道微环为封闭结构或开放结构且硅跑道微环和直波导之间处于过耦合状态； 所述的硅跑道微环为开放结构的非耦合侧开口，硅跑道微环的末端设有三角形硅波导，对应位置的铌酸锂脊波导为铌酸锂尖锥模式转换结构，三角形硅波导和铌酸锂尖锥模式转换结构组成了垂直耦合结构以提高光波进入铌酸锂层并向表面等离子体波转换的效率； 所述的硅跑道微环为闭合结构，环中部分光波向下进入表面等离子体波导，部分光在微环中传播，环中窄波导和铌酸锂尖锥模式转换结构构成垂直耦合结构。
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