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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310611587.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板及显示装置是由王佩佩;金红贵;张勇;孙平原;边若梅;段智龙;刘洋;周久磊;张冬华;杨越设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提升阵列基板的开口率。阵列基板包括衬底和薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极图案、半导体图案、源极图案和漏极图案。栅极图案包括沿第一方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁靠近源极图案，第二侧壁靠近漏极图案。半导体图案在衬底上的正投影，位于栅极图案在衬底上的正投影的范围内，与栅极图案的边界具有间隔。沿第一方向，源极图案靠近第一侧壁的一端与半导体图案之间的间隔，小于漏极图案靠近第二侧壁的一端与半导体图案之间的间隔。半导体图案与第一侧壁之间的间隔，小于半导体图案与第二侧壁之间的间隔。上述阵列基板用于制备显示装置。

本发明授权阵列基板、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，以及设置于所述衬底上且阵列分布的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 设置于所述衬底上的栅极图案； 半导体图案，设置于所述栅极图案远离所述衬底的一侧，所述半导体图案在所述衬底上的正投影，位于所述栅极图案在所述衬底上的正投影的范围内，且所述半导体图案在所述衬底上的正投影的边界与所述栅极图案在所述衬底上的正投影的边界具有间隔； 源极图案和漏极图案，所述源极图案和所述漏极图案沿第一方向间隔设置，且分别与所述半导体图案沿所述第一方向的两端电连接； 其中，所述栅极图案包括沿所述第一方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁靠近所述源极图案，所述第二侧壁靠近所述漏极图案；沿所述第一方向，所述源极图案靠近所述第一侧壁的一端与所述半导体图案之间的间隔，小于所述漏极图案靠近所述第二侧壁的一端与所述半导体图案之间的间隔，所述半导体图案与所述第一侧壁之间的间隔，小于所述半导体图案与所述第二侧壁之间的间隔。

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