南京大学修向前获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种抑制(001)面β-Ga2O3外延生长各向异性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411439089.1，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种抑制(001)面β-Ga2O3外延生长各向异性的方法是由修向前;张胜男设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制(001)面β-Ga2O3外延生长各向异性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制001面β‑Ga22O33外延生长各向异性的方法，其特征在于：在进行β‑Ga22O33的外延生长之前，在β‑Ga22O33的外延生长过程中进行In掺杂。采用本发明方法制备出的001面β‑Ga22O33外延层，具有高的表面平整性能，可以直接用于器件研制。
本发明授权一种抑制(001)面β-Ga2O3外延生长各向异性的方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制001面β-Ga2O3外延生长各向异性的方法，其特征在于：在β-Ga2O3单晶衬底上进行β-Ga2O3的外延生长，在β-Ga2O3的外延生长过程中进行In掺杂； 其中在进行外延生长前，先在β-Ga2O3单晶衬底表面制作沟槽状掩膜，其中沟槽的长边方向为[100]方向，短边方向为[010]方向，沟槽的长边与β-Ga2O3单晶衬底等长，短边长度为0.1μm~1μm，深度为20nm~200nm，沟槽与沟槽的间距为0.5μm~5μm； β-Ga2O3的外延生长包括成核层制备和外延层生长两个过程，成核层制备为采用HVPE方法，在β-Ga2O3单晶衬底表面进行β-Ga2O3成核层生长，生长速度为0.2μm小时~2μm小时，在生长过程中进行In掺杂做为表面催化剂，In掺杂量为0.05at%~0.5at%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励