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龙图腾网获悉杭州华航新材料科技有限公司申请的专利一种碳化硅衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119748670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886299.5，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种碳化硅衬底的制备方法是由王为民;崔毅设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及衬底制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的制备方法，包括：对制备的碳化硅晶棒表面进行检测，以得到碳化硅晶棒的表面粗糙度以及晶棒直径；根据表面粗糙度确定碳化硅晶棒的初始切割方式，包括第一切割方式以及第二切割方式；根据初始切割方式对碳化硅晶棒进行切割，以得到碳化硅晶圆；根据碳化硅晶圆表面的切割纹理走向以及弯曲度确定研磨参数；研磨参数包括研磨粒度和研磨压力；根据研磨参数对碳化硅晶圆进行研磨，并对研磨后的碳化硅晶圆进行抛光，以得到碳化硅衬底。本发明能够提高碳化硅衬底的生产效率以及生产质量。

本发明授权一种碳化硅衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，对制备的碳化硅晶棒表面进行检测，以得到碳化硅晶棒的表面粗糙度以及晶棒直径；其中，所述表面粗糙度包括第一表面对应的第一粗糙度以及第二表面对应的第二粗糙度； 步骤S2，根据所述表面粗糙度确定所述碳化硅晶棒的初始切割方式，包括第一切割方式以及第二切割方式； 其中，在第一条件下，使用所述第一切割方式，并根据所述晶棒直径确定第一切割方式对应的第一切割参数，所述第一切割参数包括第一切割点以及第一切割速度； 在第二条件下，使用所述第二切割方式，并根据所述表面粗糙度以及所述晶棒直径确定第二切割参数，所述第二切割参数包括第二切割点、第二切割速度、初始切割深度以及第三切割速度； 步骤S3，根据所述初始切割方式对所述碳化硅晶棒进行切割，以得到碳化硅晶圆； 步骤S4，根据所述碳化硅晶圆表面的切割纹理走向以及弯曲度确定研磨参数；所述研磨参数包括研磨粒度和研磨压力； 步骤S5，根据所述研磨参数对所述碳化硅晶圆进行研磨，并对研磨后的碳化硅晶圆进行抛光，以得到碳化硅衬底； 在所述步骤S2中，确定所述碳化硅晶棒的初始切割方式，包括： 若所述第一粗糙度与所述第二粗糙度均小于预设粗糙度阈值，并且第一粗糙度与第二粗糙度的差值小于第一预设差值，则判定符合第一条件，使用所述第一切割方式； 若所述第一粗糙度与所述第二粗糙度均小于预设粗糙度阈值，并且第一粗糙度与第二粗糙度的差值大于或者等于第一预设差值，则判定符合第二条件，使用所述第二切割方式； 在所述步骤S2中，在切割过程中，切割设备以第一切割点为初始切割点，并且以第一切割速度匀速进行切割，以完成碳化硅晶棒的切割过程；其中，得到的碳化硅晶圆以第二表面为底面，在第一表面上距离第二表面边缘长度为第一切割长度的圆弧上任意一点为第一切割点； 所述第二切割方式，将所述碳化硅晶棒划分为第一切割部分以及第二切割部分； 其中，在所述第一切割部分的切割过程中，切割设备以第二切割点为初始切割点，并且切割深度为初始切割深度，以第二切割速度匀速开始旋转切割，以完成第一切割部分的切割过程，其中，在第一表面上距离第二表面边缘长度为第二切割长度的圆弧上任意一点为第二切割点； 在所述第二切割部分的切割过程中，切割设备以第三切割速度匀速进行切割，以完成第二切割部分的切割过程； 在切割过程中，切割设备依次完成第一切割部分以及第二切割部分的切割，以完成碳化硅晶棒的切割过程； 所述第一切割参数通过以下步骤确定： 步骤S21，根据晶棒直径与预设直径阈值的差值与预设直径阈值的比值的平方确定第一切割系数； 步骤S22，根据晶棒直径与第一切割系数的乘积确定第一切割长度； 步骤S23，根据第一切割长度与预设切割长度的比值确定第一中间值，并根据第一中间值与标准切割速度的乘积确定第一切割速度； 所述第二切割参数通过以下步骤确定： 步骤S24，根据第一粗糙度与第二粗糙度的差值与第二粗糙度的比值的平方确定第二切割系数； 步骤S25，根据晶棒直径与第二切割系数的乘积确定第二切割长度； 步骤S26，根据第二切割长度与预设切割长度的比值确定第二中间值，并根据第二中间值与标准切割速度的乘积确定第二切割速度； 步骤S27，根据所述第一粗糙度与第二粗糙度的比值确定第三切割系数，并根据第二切割长度与第三切割系数的乘积确定初始切割深度； 步骤S28，根据初始切割深度与所述晶棒直径的0.5倍的比值确定第三中间值，根据标准切割速度与第三中间值的比值确定第三切割速度。

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