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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种二维半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411967551.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种二维半导体器件及其制备方法是由朱马光;白岩;张凌雨;孙逸夫;何凯悦设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维半导体器件及其制备方法，该器件包括衬底、二维半导体材料层、栅结构，栅结构包括栅介质层和栅极层，栅介质层包括被栅极底部覆盖的部分以及未被栅极底部覆盖的部分，未被栅极底部覆盖的部分沿半导体层表面分别向外侧延伸；栅介质层未被栅极底部覆盖的部分、栅极的两侧覆盖有侧墙；侧墙表面设有支撑层；沿支撑层、位于栅介质层表面的侧墙、二维半导体材料层、衬底自上向下贯穿有源漏金属接触层。本发明通过在二维半导体材料层上沉积金属钇，并清洗掉之后留下钇晶种，以金属钇作为晶种获得高性能栅结构，显著降低了器件的亚阈值摆幅和接触电阻，有效抑制短沟道效应，减少沟道缺陷，从而显著提升器件的整体性能、良率和可靠性。

本发明授权一种二维半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： A在衬底1上形成二维半导体材料层2，在二维半导体材料层2上沉积金属钇，并在惰性气氛下退火以进行硫化钇金属化；退火之后清洗掉金属钇层，保留金属钇晶种； 在沉积金属钇之前，利用低功率氩软等离子体或者电子束辐照处理图案化的局部接触区域，对二维半导体材料进行表面改性，产生活性位点； 通过酸洗去除金属钇层，保留金属钇晶种； 退火过程中使用氩气和氢气的混合气体，以防止氧化并提高晶种的活性；退火温度为240~300℃，时间为20~40min； B在保留金属钇晶种的二维半导体材料层2表面形成栅介质层3，在栅介质层3表面形成栅极层4，得到栅结构； C使用光刻法划分出源极和漏极的位置，然后刻蚀掉源漏区域的栅极层4，并向下对栅介质层3刻蚀一定深度，然后在暴露出的表面上形成侧墙5； D在侧墙5表面沉积低介电常数材料，形成对源漏金属的支撑层6； E利用CMP对步骤D得到的结构进行平坦化并停止在栅极层4，去掉多余的支撑层6，暴露出栅极层4； F对未被去除的支撑层6通过向下刻蚀形成凹陷，凹陷延伸进入衬底1； G向凹陷内沉积源极和漏极金属，以形成与二维半导体材料层2的欧姆接触；沉积完成后，去除多余的金属，暴露出栅极结构，制得所述二维半导体器件； 所述二维半导体器件，包括衬底1，设于衬底1上的二维半导体材料层2及设于二维半导体材料层2上的栅结构，所述栅结构包括栅介质层3、在所述栅介质层3上方的栅极层4，所述栅介质层3包括被栅极层4底部覆盖的部分以及未被栅极层4底部覆盖的部分，所述未被栅极层4底部覆盖的部分沿二维半导体材料层2表面分别向外侧延伸；所述栅介质层3未被栅极层4底部覆盖的部分以及栅极的两侧均覆盖有侧墙5；所述侧墙5的表面设有低介电常数材料形成的支撑层6；所述支撑层6、侧墙5及栅极的顶部齐平，沿所述支撑层6、位于栅介质层3表面的侧墙5、二维半导体材料层2、衬底1的竖向上贯穿有源漏金属接触层7。

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