北京超弦存储器研究院马雪丽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311310787.7，技术领域涉及：H10D84/02；该发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备是由马雪丽;段新绿;项金娟;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；于衬底上形成第一垂直晶体管；于第一垂直晶体管上沉积一层或多层层间绝缘介质材料层，对一层或多层层间绝缘介质材料层进行等离子体处理，以形成一层或多层层间绝缘介质层；于一层或多层层间绝缘介质层上形成第二垂直晶体管；其中，第一垂直晶体管和或第二垂直晶体管的沟道层为金属氧化物半导体材料。采用本发明的半导体结构的制造方法能够提高器件性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成第一垂直晶体管； 于所述第一垂直晶体管上沉积一层或多层层间绝缘介质材料层，对所述一层或多层层间绝缘介质材料层进行等离子体处理，以形成一层或多层层间绝缘介质层； 于所述一层或多层层间绝缘介质层上形成第二垂直晶体管； 其中，所述第一垂直晶体管的第一沟道层和所述第二垂直晶体管的第二沟道层至少之一包含金属氧化物半导体材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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