苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311330824.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由程凯设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体结构包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层以及异质结结构层；成核层包括第一成核层和第二成核层，第一成核层为多个条状结构，相邻两个所述条状结构之间为条状凹槽，条状凹槽的延伸方向平行于衬底所在平面，第二成核层覆盖条状凹槽且覆盖第一成核层，第二成核层的离子透过能力高于第一成核层的离子透过能力。本公开设计离子透过能力不同的第一成核层和第二成核层，衬底中的硅离子借由第二成核层扩散进入缓冲层，使缓冲层形成硅浓度不同的第一缓冲层和第二缓冲层。沿沟道宽度方向，缓冲层的掺杂浓度变化，对二维电子气浓度的影响变化，则可以在不同位置的沟道层形成不同的阈值电压，进而改善器件的线性度。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 依次层叠设置的衬底10、成核层20、缓冲层30以及异质结结构层40； 所述成核层20包括第一成核层21和第二成核层22，所述第一成核层21为多个条状结构，相邻两个所述条状结构之间为条状凹槽201，所述条状凹槽201的延伸方向平行于衬底10所在平面，所述第二成核层22覆盖所述条状凹槽201且覆盖所述第一成核层21，所述第二成核层22的硅离子透过能力高于所述第一成核层21的硅离子透过能力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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