长江存储科技有限责任公司刘雅琴获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件、存储系统以及半导体器件抗干扰的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311411405.X，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权半导体器件、存储系统以及半导体器件抗干扰的方法是由刘雅琴;王言虹;杜智超;刘威;魏丹阳设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、存储系统以及半导体器件抗干扰的方法在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体器件、一种存储器系统以及一种半导体器件抗干扰的方法。半导体器件包括：基底、晶体管和位线，基底包括至少一个存储平面区域，其中存储平面区域包括位于存储平面区域的边缘的第一区以及不同于第一区的第二区；晶体管设置于存储平面区域，并包括源极和漏极；位线与源极和漏极中的一个连接，其中，多个位线包括第一类位线和第二类位线，第一类位线在第一区沿平行于存储平面区域的第一方向延伸，第二类位线沿第一方向延伸，并穿过第一区和第二区；以及多个第一类位线中的至少一个与多个第二类位线中的至少一个连接。
本发明授权半导体器件、存储系统以及半导体器件抗干扰的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，包括至少一个存储平面区域，其中所述存储平面区域包括位于所述存储平面区域的边缘的第一区以及不同于所述第一区的第二区； 晶体管，设置于所述存储平面区域，并包括源极、漏极和栅极结构； 字线，与所述栅极结构连接；以及 位线，与所述源极和所述漏极中的一个连接， 其中，多个所述位线包括第一类位线和第二类位线，所述第一类位线在所述第一区沿平行于所述存储平面区域的第一方向延伸，所述第二类位线沿所述第一方向延伸，并穿过所述第一区和所述第二区； 多个所述字线包括在所述第一区沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第一类字线； 多个所述第一类字线中的至少一个与多个所述第二类位线中的至少一个连接；以及 多个所述第一类位线中的至少一个与多个所述第二类位线中的至少一个连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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