长江存储科技有限责任公司程磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311389119.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由程磊;潘杰;张杰文;罗兴安;毛格设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何降低晶体管之间产生的电磁干扰问题。半导体结构包括多个第一晶体管和隔离结构。至少两个第一晶体管沿第一方向排列。隔离结构位于在第一方向上相邻的两个第一晶体管之间。隔离结构包括孪晶诱导层和导体层，孪晶诱导层位于导体层和第一晶体管之间，且与导体层接触。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个第一晶体管，至少两个第一晶体管沿第一方向排列； 隔离结构，位于在所述第一方向上相邻的两个第一晶体管之间；所述隔离结构包括孪晶诱导层和导体层，所述孪晶诱导层位于所述导体层和所述第一晶体管之间，且与所述导体层接触； 所述隔离结构还包括： 第一绝缘层，沿第三方向，所述第一绝缘层位于所述导体层的一侧；所述第三方向与所述第一方向垂直； 第二绝缘层，沿所述第三方向，所述第二绝缘层位于所述导体层的另一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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