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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利混合栅极的GaN基功率晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311550429.3，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权混合栅极的GaN基功率晶体管结构是由姬中晨;蒋其梦;黄森;刘新宇;王鑫华设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合栅极的GaN基功率晶体管结构在说明书摘要公布了：提供了一种混合栅极的GaN基功率晶体管结构，包括：叠层结构，其中，叠层结构包括：衬底；设置于衬底上的GaN缓冲层；以及设置于GaN缓冲层远离衬底一侧的AlIn，GaGaN势垒层；源极结构，设置于叠层结构的第一端；和漏极结构，相对源极结构设置于叠层结构的第二端；以及栅极结构，设置于叠层结构上，且位于所述第一端和所述第二端之间，其中，栅极结构包括：设置于叠层结构上的p‑In，AlGaN外延层；设置于p‑In，AlGaN外延层远离叠层结构一侧的掺杂层；以及设置于掺杂层远离叠层结构一侧的第一栅金属层，其中，所述掺杂层包括至少一个p型掺杂区和多个n型掺杂区，所述至少一个p型掺杂区位于所述多个n型掺杂区之间。

本发明授权混合栅极的GaN基功率晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种混合栅极的GaN基功率晶体管结构，其特征在于，包括： 叠层结构，其中，所述叠层结构包括： 衬底； 设置于所述衬底上的GaN缓冲层；以及 设置于所述GaN缓冲层远离所述衬底一侧的AlIn，GaGaN势垒层； 源极结构，设置于所述叠层结构的第一端；和 漏极结构，相对所述源极结构设置于所述叠层结构的第二端；以及 栅极结构，设置于所述叠层结构上，且位于所述第一端和所述第二端之间，其中，所述栅极结构包括： 设置于所述叠层结构上的p-In，AlGaN外延层； 设置于所述p-In，AlGaN外延层远离所述叠层结构一侧的掺杂层；以及设置于所述掺杂层远离所述叠层结构一侧的第一栅金属层， 其中，所述掺杂层包括至少一个p型掺杂区和多个n型掺杂区，所述至少一个p型掺杂区位于所述多个n型掺杂区之间； 所述p型掺杂区在所述衬底上的正投影位于所述第一栅金属层在所述衬底上的正投影内，所述第一栅金属层与所述p型掺杂区之间形成欧姆接触； 所述n型掺杂区在所述衬底上的正投影与所述第一栅金属层在所述衬底上的正投影部分重叠，所述n型掺杂区与所述第一栅金属层之间形成肖特基接触； 所述混合栅极的GaN基功率晶体管结构还包括第二栅金属层，所述第二栅金属层设置在所述第一栅金属层远离所述衬底的一侧，或者，所述第二栅金属层设置在所述掺杂层与所述第一栅金属层之间； 所述第二栅金属层与所述第一栅金属层电性连接；以及 所述第二栅金属层与所述n型掺杂区之间形成欧姆接触。

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