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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;清华大学申请的专利三维动态随机存取存储器阵列结构和包括其的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510155949.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维动态随机存取存储器阵列结构和包括其的半导体装置是由潘立阳设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维动态随机存取存储器阵列结构和包括其的半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维DRAM阵列结构和包括其的半导体装置。该三维DRAM阵列结构包括：L层M行N列DRAM单元结构，每个包括：第一和第二围栅晶体管，均具有管状沟道，依次设置在竖直方向上并且电气上并联连接，以及存储电容器，具有管状结构，在竖直方向上设置在第一和第二围栅晶体管之间，内电极连接到第一和第二围栅晶体管的第一源漏极，外电极连接到源极线；M×N个位线，沿竖直方向分别在M行N列DRAM单元结构中的第一和第二围栅晶体管以及存储电容器共同构成的管状结构内部延伸，并且分别连接到第一和第二围栅晶体管的第二源漏极；L×M个第一和第二字线，沿第一水平方向延伸并且分别连接到L层DRAM单元结构中的第一和第二围栅晶体管的栅极。

本发明授权三维动态随机存取存储器阵列结构和包括其的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种三维DRAM阵列结构，包括： 多个DRAM单元结构，排列成L层M行N列，其中，L、M和N是大于1的自然数，所述多个DRAM单元结构中的每一个包括： 第一围栅晶体管和第二围栅晶体管，均具有管状结构的沟道，依次设置在竖直方向上并且电气上并联连接，以及 存储电容器，具有管状结构，在竖直方向上设置在所述第一围栅晶体管和所述第二围栅晶体管之间，其内电极连接到所述第一围栅晶体管和所述第二围栅晶体管的第一源漏极，并且其外电极连接到源极线； M×N个位线，沿竖直方向分别在M行N列DRAM单元结构中的第一围栅晶体管和第二围栅晶体管以及存储电容器共同构成的管状结构内部延伸，并且分别连接到所述M行N列DRAM单元结构中的第一围栅晶体管和第二围栅晶体管的第二源漏极； L×M个第一字线，沿第一水平方向延伸并且分别连接到L层M行DRAM单元结构中的第一围栅晶体管的栅极；以及 L×M个第二字线，沿所述第一水平方向延伸并且分别连接到所述L层M行DRAM单元结构中的第二围栅晶体管的栅极。

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