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龙图腾网获悉深圳市速腾聚创科技有限公司申请的专利单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311637529.X，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达是由晁恩飞;夏春秋;姚国峰设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达在说明书摘要公布了：本申请属于光器件技术领域，提供了一种单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达，至少两个SPAD单元呈阵列设置，微透镜将入射光汇聚至对应的SPAD单元上，背面金属网格连接SPAD单元与对应的外部电极，第一介质层设置于微透镜与SPAD单元之间，第二介质层设置于SPAD单元与正面金属走线层之间，正面金属走线层通过接触金属丝与对应的SPAD单元电连接。通过在相邻的SPAD单元之间设置深槽隔离柱，并在深槽隔离柱与背面金属网格之间设置金属填充结构，可以隔离SPAD单元受入射光激发产生的自激发光子，避免自激发光子通过网格缝隙进入相邻的SPAD单元，降低光子串扰的几率，减小器件的光学串扰。

本发明授权单光子雪崩二极管阵列、接收传感器及激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管阵列，其特征在于，所述单光子雪崩二极管阵列包括： 至少两个SPAD单元； 至少两个微透镜，分别与至少两个所述SPAD单元一一对应，所述微透镜用于将入射光汇聚至对应的所述SPAD单元上； 至少两个正面金属走线层，至少两个所述正面金属走线层与至少两个所述SPAD单元一一对应； 背面金属网格，用于连接所述SPAD单元与对应的外部电极；所述背面金属网格具有由上向下向所述背面金属网格内部倾斜的界面，所述背面金属网格上方的宽度大于所述背面金属网格下方的宽度； 第一介质层，设置于所述微透镜与所述SPAD单元之间，所述第一介质层用于减小所述入射光的反射； 第二介质层，设置于所述SPAD单元与所述正面金属走线层之间；其中，所述正面金属走线层通过接触金属丝与对应的所述SPAD单元电连接； 深槽隔离柱，设于相邻的所述SPAD单元之间，用于隔离相邻的所述SPAD单元；所述深槽隔离柱至少深入至所述第二介质层； 金属填充结构，设于所述深槽隔离柱与背面金属网格之间，用于抑制所述SPAD单元受所述入射光激发产生的自激发光子通过网格缝隙进入相邻的所述SPAD单元；所述金属填充结构为一个封闭的环状结构，所述背面金属网格与所述深槽隔离柱采用的金属材料不同。

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