中山智隆新材料科技有限公司钟威平获国家专利权
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龙图腾网获悉中山智隆新材料科技有限公司申请的专利一种高迁移率IGO靶材及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510147761.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种高迁移率IGO靶材及其制备方法和应用是由钟威平;葛春桥;李强;高洋设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高迁移率IGO靶材及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜晶体管溅射用靶材技术领域，具体公开了一种高迁移率IGO靶材及其制备方法和应用。本发明的IGO靶材的原料组分包括氧化铟、氧化镓、高价金属氧化物和掺杂氮化物；其中，所述高价金属氧化物包括氧化铌或氧化钽中的至少一种。本发明提供的IGO靶材具有高致密度、低电阻率的特点，并且其晶粒尺寸较小、物相单一，具有均匀的成分和微观组织分布，该靶材还具有较好的强度性能，使用该靶材制备的IGO薄膜器件具有高载流子迁移率和低阈值偏压，可以实现更优的电学性能和稳定性。本发明还提供该IGO靶材的制备方法和应用。
本发明授权一种高迁移率IGO靶材及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种IGO靶材，其特征在于，按质量份数计，所述IGO靶材的原料组分包括氧化铟80~90份、氧化镓7~14份、高价金属氧化物1~6份和氮化物0.4~2份； 其中，所述高价金属氧化物包括氧化铌和氧化钽，所述氧化铌的质量份数为0.5~2.5份；所述氧化钽的质量份数为0.5~3.5份；所述氮化物选自氮化镓、氮化铟、氮化铌、氮化钽中的至少一种。
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