长鑫科技集团股份有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311693799.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其形成方法，其中，该半导体结构包括：多个有源柱，呈阵列排布；多条字线；字线沿第一方向延伸，且覆盖沿第一方向排布的同一行的有源柱的侧壁；第一方向与有源柱延伸的方向垂直；多个字线隔离结构；字线隔离结构沿第一方向延伸且位于相邻的字线之间，包括沿第一方向交替设置的第一隔离结构和第二隔离结构；其中，第一隔离结构沿第二方向的第一尺寸与第二隔离结构沿第二方向的第二尺寸不同；第二方向与有源柱延伸的方向平行。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 多个有源柱，呈阵列排布； 多条字线； 所述字线沿第一方向延伸，且覆盖沿所述第一方向排布的同一行的所述有源柱的侧壁；所述第一方向与所述有源柱延伸的方向垂直； 多个字线隔离结构；所述字线隔离结构沿所述第一方向延伸且位于相邻的所述字线之间，包括沿所述第一方向交替设置的第一隔离结构和第二隔离结构；其中，所述第一隔离结构沿第二方向的第一尺寸与所述第二隔离结构沿所述第二方向的第二尺寸不同；所述第二方向与所述有源柱延伸的方向平行； 所述第一隔离结构位于沿第三方向相邻的两个所述有源柱之间，所述第二隔离结构位于沿第三方向相邻的两个间隔结构之间，所述间隔结构位于沿第一方向上相邻的两个所述有源柱之间；所述第三方向与所述第二方向垂直且与所述第一方向相交； 所述第一尺寸小于所述第二尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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