长鑫科技集团股份有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311694028.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制作方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种存储单元、存储器及其制作方法，其中，存储单元包括：栅导电部，栅导电部沿第一方向延伸；第一介质层，第一介质层设置于以第一方向为轴环绕栅导电部的部分表面；沟道层，沟道层位于第一介质层上；第二介质层，第二介质层位于沟道层上；第一字线，第一字线位于第二介质层上；位线，位线位于栅导电部沿第一方向的一端，且与栅导电部间隔，位线与沟道层连接；电容，电容位于栅导电部远离位线的一端，且与栅导电部间隔，电容与沟道层连接；第二字线，第二字线与栅导电部连接。可以提高存储单元的性能。
本发明授权存储单元、存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 栅导电部，所述栅导电部沿第一方向延伸； 第一介质层，所述第一介质层设置于以所述第一方向为轴环绕所述栅导电部的部分表面； 沟道层，所述沟道层位于所述第一介质层上； 第二介质层，所述第二介质层位于所述沟道层上； 第一字线，所述第一字线位于所述第二介质层上； 位线，所述位线位于所述栅导电部沿所述第一方向的一端，且与所述栅导电部间隔，所述位线与所述沟道层连接；其中，所述沟道层以所述第一方向为轴环绕所述位线的部分表面； 电容，所述电容位于所述栅导电部远离所述位线的一端，且与所述栅导电部间隔，所述电容与所述沟道层连接； 第二字线，所述第二字线与所述栅导电部连接，所述栅导电部位于所述第一字线与所述第二字线之间。
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