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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311740289.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器是由唐怡设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、三维存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，半导体结构包括：第一字线，沿第一方向延伸；半导体层，所述半导体层环绕第一字线的部分侧面，半导体层包括：沟道区以及位于沟道区两侧的源漏区，沟道区以及源漏区绕第一字线的侧面周向排列；第二字线，沿第一方向延伸，第二字线位于半导体层背离第一字线的一侧，与第一字线相对设置；位线，位于半导体层背离第一字线一侧，沿第二方向延伸；电容器，位于半导体层背离第一字线一侧，其中，位线与电容器分别位于第一字线在第三方向上的相对两侧，并分别与源漏区电接触。本公开实施例提供的半导体结构至少能够在提高沟道区的稳定性的同时，缩小半导体结构的整体尺寸。

本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一字线，所述第一字线沿第一方向延伸； 半导体层，所述半导体层环绕所述第一字线的部分侧面，所述半导体层包括：沟道区以及位于所述沟道区两侧的源漏区，所述沟道区以及所述源漏区绕所述第一字线的侧面周向排列； 第二字线，所述第二字线沿所述第一方向延伸，所述第二字线位于所述半导体层背离所述第一字线的一侧，与所述第一字线相对设置； 位线，位于所述半导体层背离所述第一字线一侧，沿第二方向延伸； 电容器，位于所述半导体层背离所述第一字线一侧，其中，所述位线与所述电容器分别位于所述第一字线在第三方向上的相对两侧，并分别与所述源漏区电接触，所述第二方向与所述第三方向相交； 还包括：支撑层，沿所述第三方向延伸，所述支撑层具有沿所述第二方向相对的第一侧以及第二侧，以及沿所述第三方向相对的两个第三侧，所述半导体层以及所述第一字线镶嵌在所述第一侧，所述第二字线镶嵌在所述第二侧，其中，所述支撑层的第三侧露出所述半导体层的源漏区； 其中，所述第一字线在所述第三方向上的最大宽度尺寸大于所述第二字线在所述第三方向上的最大宽度尺寸。

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