长鑫科技集团股份有限公司黄猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510337727.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由黄猛设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构及其制备方法，包括提供衬底；衬底形成有叠层结构，叠层结构包括沿第一方向交替堆叠于衬底上的第一堆叠层和第二堆叠层，第一方向与衬底所在平面相交；在叠层结构中形成沿第一方向延伸的第一孔槽和第二孔槽；在第一孔槽中形成氧化物有源层；在形成有氧化物有源层的第一孔槽中形成栅极结构；在氧气环境下对半导体结构进行退火，氧气通过第二孔槽进入第一堆叠层中，第一堆叠层中的氧移动至氧化物有源层中。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 提供衬底；所述衬底形成有叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向交替堆叠于所述衬底上的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一方向与所述衬底所在平面相交； 在所述叠层结构中形成沿所述第一方向延伸的第一孔槽和第二孔槽； 通过所述第一孔槽在所述叠层结构中形成氧化物有源层； 在所述第一孔槽中形成栅极结构； 在氧气环境下对所述半导体结构进行退火，所述氧气通过所述第二孔槽进入所述第一堆叠层中，所述第一堆叠层中的氧移动至所述氧化物有源层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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