南京大学李张南获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种浮栅电荷共享型存算一体单元以及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120833809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511331587.9，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权一种浮栅电荷共享型存算一体单元以及使用方法是由李张南;宋年华;王凯;沈凡翔;王宇宣;马浩文;卜晓峰设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮栅电荷共享型存算一体单元以及使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅电荷共享型存算一体单元及其使用方法，属于半导体技术领域领域。通过利用浮栅结构带来的可擦写性存储权值，利用电荷耦合机制判断权值，既可以作为存储器使用，也可以作为存算器使用，具有小尺寸、高动态范围、计算准确度高、非易失的特点，存算一体单元还可构成共浮栅结构以进一步缩小阵列中器件的等效面积。
本发明授权一种浮栅电荷共享型存算一体单元以及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅电荷共享型存算一体单元，其特征在于，所述存算一体单元包括：衬底、权值存储管和电荷耦合管； 所述衬底作为存算一体单元的基底，并在其中设置激励漏极； 所述权值存储管包括激励漏极和权值存储栅极结构，所述权值存储栅极结构由下至上依次包括底层介质层、第一浮栅、第一顶层介质层和第一控制栅； 所述电荷耦合管包括衬底和电荷耦合栅极结构，所述电荷耦合栅极结构由下至上依次包括底层介质层、第二浮栅、第二顶层介质层和第二控制栅；所述第二控制栅和第二顶层介质层上设置浮栅通孔，所述浮栅通孔四周为绝缘侧壁，中间填充金属直接接触浮栅，电荷耦合管在衬底内不设源极和漏极； 所述浮栅通孔直接连接第二浮栅，通过所述第二浮栅实现对存算一体单元中存储的权值的计算。
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