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龙图腾网获悉广东芯聚能半导体有限公司申请的专利功率模块三相逆变仿真方法和相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120874408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511395400.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权功率模块三相逆变仿真方法和相关设备是由牟清涌;蔡耀增;王咏;吴龙燕;闫鹏修;朱贤龙设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率模块三相逆变仿真方法和相关设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种功率模块三相逆变仿真方法和相关设备，属于电力电子器件技术领域。该方法包括获取功率半导体的转移特性曲线、输出特性曲线、开通损耗和关断损耗的实测数据；根据实测数据对功率半导体的电学参数与功率损耗之间的关系进行数据拟合，得到纯损耗模型，其中，电学参数包括结温、漏源电压、栅源电压和开关频率；根据纯损耗模型搭建三相逆变电路，并运行三相逆变电路得到电学仿真参数；将电学仿真参数输入纯损耗模型进行功率损耗仿真处理，得到功率损耗仿真值；将功率损耗仿真值输入预设的热阻模型进行温升仿真处理，得到温升仿真值。本申请通过仿真替代打样实物测试，能够缩短开发周期，降低成本，提高测试的准确性和安全性。

本发明授权功率模块三相逆变仿真方法和相关设备在权利要求书中公布了：1.一种功率模块三相逆变仿真方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 获取功率半导体的转移特性曲线、输出特性曲线、开通损耗和关断损耗的实测数据； 根据所述实测数据对功率半导体的电学参数与功率损耗之间的关系进行数据拟合，得到纯损耗模型，其中，所述电学参数包括结温、漏源电压、栅源电压和开关频率； 根据所述纯损耗模型搭建三相逆变电路，并运行所述三相逆变电路得到电学仿真参数； 将所述电学仿真参数输入所述纯损耗模型进行功率损耗仿真处理，得到功率损耗仿真值； 将所述功率损耗仿真值输入预设的热阻模型进行温升仿真处理，得到温升仿真值，其中，所述热阻模型中预存有不同散热结构的热阻参数； 所述根据所述实测数据对功率半导体的电学参数与功率损耗之间的关系进行数据拟合，得到纯损耗模型，包括以下步骤： 根据所述实测数据对结温、漏源电压、栅源电压与漏极电流之间的关系进行多变量非线性拟合，得到电流模型； 根据所述电流模型和所述漏源电压进行导通损耗拟合，得到导通损耗模型； 根据所述开通损耗、所述关断损耗和开关频率进行开关损耗拟合，得到开关损耗模型； 根据所述导通损耗模型和所述开关损耗模型进行功率损耗拟合，得到纯损耗模型； 所述根据所述实测数据对结温、漏源电压、栅源电压与漏极电流之间的关系进行多变量非线性拟合，得到电流模型，包括以下步骤： 以结温、漏源电压和栅源电压为自变量，以漏极电流为因变量进行多项式回归分析，得到多变量非线性方程，其中，所述多变量非线性方程包括结温与栅源电源的第一非线性项、结温与漏源电源的第二非线性项、栅源电压的第一线性项和漏源电压的第二线性项； 根据所述实测数据以最小化误差为目标对所述多变量非线性方程的待拟合参数进行优化，得到最优参数值； 根据所述多变量非线性方程和所述最优参数值得到电流模型； 所述根据所述纯损耗模型搭建三相逆变电路，并运行所述三相逆变电路得到电学仿真参数，包括以下步骤： 将三相逆变电路中各桥臂的功率半导体替换为所述纯损耗模型，并基于预设仿真环境条件运行所述三相逆变电路得到电学仿真参数。

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