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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120877813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511389277.2，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列是由王宇宣;宋年华;李张南;王凯;沈凡翔;马浩文;卜晓峰设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列，属于半导体技术领域。每个交叉耦合式浮栅型存算一体单元包括两个共轭设置的耦合读写子单元和一个写入开关管，该存算一体单元通过硅衬底耗尽区存储电子信息，相比于传统eDRAM器件栅极存储电荷的方式，耗尽区存储权值的结构没有栅电容与PN结之间漏电，权值维持能力比传统2T1C类eDRAM强一个数量级以上，此外，本发明提供的交叉耦合型存算一体器件由于具备浮栅结构，可以通过向浮栅晶体管中擦写电子对工艺偏差带来的非一致性进行校准，使存算单元的精度更高，这些特质为一些需要大规模易失性存算阵列部署的应用提供了可能。

本发明授权一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列在权利要求书中公布了：1.一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元，其特征在于，包括第一耦合读写子单元100、第二耦合读写子单元200和写入开关管300，三者形成于同一衬底400上，且第一耦合读写子单元100与第二耦合读写子单元200共轭设置在写入开关管300两侧； 所述第一耦合读写子单元100与第二耦合读写子单元200结构相同； 所述第一耦合读写子单元100包括第一写入漏极101、第一写入源极102和第一栅极结构110，第一栅极结构110对应的衬底400区域设置有第一浅槽隔离层，通过第一浅槽隔离层将第一耦合读写子单元100隔离形成第一电荷耦合管和第一读写管，第一电荷耦合管和第一读写管共用第一栅极结构110，所述第一电荷耦合管不设源极和漏极；所述第一栅极结构110由下至上包括衬底400、底层介质层500、第一浮栅111、第一顶层介质层112以及第一控制栅113； 对应的，所述第二耦合读写子单元200包括第二写入漏极201、第二写入源极202和第二栅极结构210，第二栅极结构210对应的衬底400区域设置有第二浅槽隔离层，通过第二浅槽隔离层将第二耦合读写子单元200隔离形成第二电荷耦合管和第二读写管，第二电荷耦合管和第二读写管共用第二栅极结构210，所述第二电荷耦合管不设源极和漏极；所述第二栅极结构210由下至上包括衬底400、底层介质层500、第二浮栅211、第二顶层介质层212以及第二控制栅213； 所述写入开关管300由下至上包括衬底400、底层介质层500、第三浮栅301、第三顶层介质层302和第三控制栅303；所述写入开关管300对应的衬底400区域内设置有第三浅槽隔离层304，用于将共轭设置的两个耦合读写子单元形成的两条通路隔离开，以避免写入时的短路。

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