江西兆驰半导体有限公司谢志文获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416188.2，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法是由谢志文;张瀚;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该梯度斜切角衬底用于半导体层的制备，所述梯度斜切角衬底的表面包括中心区域、边缘区域，以及连接于所述中心区域与所述边缘区域之间的过渡区域；其中，所述中心区域的斜切角为0°＜θ1＜0.2°，所述中心区域的表面台阶宽度≥200nm，所述边缘区域的斜切角为0.2°＜θ2＜1°，所述边缘区域的表面台阶宽度≤40nm，所述过渡区域的斜切角θ3从所述中心区域连续渐变至所述边缘区域。本发明通过梯度斜切角进行半导体层的制作，解决了现有技术中边缘波长失控、位错密度过高、热应力累积导致的MicroLED巨量转移良率低的问题。
本发明授权一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度斜切角衬底，其特征在于，用于半导体层的制备，所述梯度斜切角衬底的表面包括中心区域、边缘区域，以及连接于所述中心区域与所述边缘区域之间的过渡区域； 其中，所述中心区域的斜切角为0°＜θ1＜0.2°，所述中心区域的表面台阶宽度≥200nm，所述边缘区域的斜切角为0.2°＜θ2＜1°，所述边缘区域的表面台阶宽度≤40nm，所述过渡区域的斜切角θ3从所述中心区域连续渐变至所述边缘区域。
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