天目山实验室;杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)宋文佳获国家专利权
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龙图腾网获悉天目山实验室;杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120923230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511423494.9，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法是由宋文佳;付长利设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法，其化学式为Gd2‑2‑xxZr2+x2+xO7+x27+x2，其中0.5≥x≥‑0.5，且x≠0；所述锆酸钆陶瓷具有单一的萤石相结构；其微观结构无明显孔洞、晶粒的生长程度随着化学计量比的偏离程度增加而变大。本发明采用超快烧结方法制得所述基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷，通过对Gd22O33和ZrO22混合粉体进行球磨、造粒、压片以及排胶处理后，以500‑1000℃s的升温速率、烧结时间少于180s进行超快烧结制得所述陶瓷。本发明通过Gd和Zr的比例偏离，引入结构缺陷态，与超快烧结形成的强外热场诱导下的扩散活化行为协同作用，实现性能优化。
本发明授权基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷及超快烧结方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷，其特征在于：所述锆酸钆陶瓷的化学式为Gd2-xZr2+xO7+x2，其中0.5≥x≥-0.5，且x≠0；所述基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷具有单一的萤石结构；相比Gd2Zr2O7锆酸钆陶瓷的XRD图谱峰位，所述基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷的XRD图谱峰位发生了偏移；引入了晶体结构缺陷态；所述基于非化学计量比调控的锆酸钆陶瓷的微观形貌无明显孔洞、晶粒细小均匀，晶粒平均尺寸2.7~7.8μm； 所述锆酸钆陶瓷采用超快烧结方法制得，所述超快烧结的升温速率为500-1000℃s，烧结温度为1600-1650℃，烧结时间为60-180s。
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