华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司刘晓庆获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120955068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511469405.4，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法是由刘晓庆;彭雄;张旭志;李斌;刘玉荣;余威明设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法，其中，测试结构集成于待测晶圆的切割道中，且与所述待测晶圆中的器件同步形成，所述测试结构包括：隔离沟槽和有源区，所述有源区位于所述隔离沟槽两侧且互联，在所述有源区内设有源漏掺杂区域；所述隔离沟槽的长度大于设定值且所述隔离沟槽为分立式结构，在所述隔离沟槽内设有填充层。本申请能够避免晶圆报废，实现晶圆零损耗的缺陷监控，且能够通过电学参数量化Si位错缺陷，有助于提高晶圆良率。
本发明授权一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法在权利要求书中公布了：1.一种检测Si位错的测试结构，其特征在于，集成于待测晶圆的切割道中，且与所述待测晶圆中的器件同步形成，所述测试结构包括：隔离沟槽和有源区，所述有源区位于所述隔离沟槽两侧且互联，在所述有源区内设有源漏掺杂区域；所述隔离沟槽的长度大于设定值且所述隔离沟槽为分立式结构，在所述隔离沟槽内设有填充层； 其中，所述隔离沟槽的长度大于等于50μm； 分立式结构指的是晶体管分布于长STI沟槽上下两侧； 所述测试结构还包括：多晶硅栅极和接触孔，所述多晶硅栅极呈长条状，所述多晶硅栅极的长度方向与所述隔离沟槽的长度方向垂直；所述测试结构通过所述接触孔实现内部电连接，并配合外部专用测量电路读取所述测试结构的电学参数。
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