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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121051097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511595807.9，技术领域涉及：G06F16/21；该发明授权基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法是由冯海科;何昌;李俊峰;师云鹏设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法在说明书摘要公布了：本发明涉及工艺流程数据库构建技术领域，一种基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法，包括：确认出超级结MOSFET工艺流程知识，根据超级结MOSFET工艺流程知识获取数据库设计规范，建立自动化数据采集接口，根据自动化数据采集接口及数据库设计规范构建数据库框架，确认出待仿真工艺参数集，基于待仿真工艺参数集及数据库框架获取关联数据集，根据关联数据集构建优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型，基于优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型完成基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建。本发明可提高制备工艺的优化效率和数据的一致性。

本发明授权基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建方法，其特征在于，所述方法包括： 接收工艺流程数据库构建指令，根据工艺流程数据库构建指令确认出超级结MOSFET工艺流程知识，根据超级结MOSFET工艺流程知识获取数据库设计规范； 建立自动化数据采集接口，其中，自动化数据采集接口包括：设备层接口、测量层接口及文件层接口； 根据自动化数据采集接口及数据库设计规范构建数据库框架，确认出待仿真工艺参数集； 基于待仿真工艺参数集及数据库框架获取关联数据集，其中，待仿真工艺参数集包括多个待仿真工艺参数，关联数据集包括多个关联数据，待仿真工艺参数与关联数据一一对应； 根据关联数据集构建优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型，包括：将关联数据集存储在数据库框架中，得到虚拟实验数据集，基于虚拟实验数据集开发工艺流追溯功能、SPC控制图分析功能及交互式关联分析工具； 基于工艺流追溯功能、SPC控制图分析功能及交互式关联分析工具获取数据分析可视化单元； 基于虚拟实验数据集构建正向预测机器学习模型，根据正向预测机器学习模型构建逆向设计机器学习模型； 创建系统用户界面，将数据分析可视化单元、正向预测机器学习模型及逆向设计机器学习模型集成于系统用户界面中，得到集成化系统用户界面； 对集成化系统用户界面设置角色访问权限，得到更新系统用户界面； 基于更新系统用户界面获取优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型，包括：获取增量数据集，其中，增量数据集包括：实际生产工艺参数及测量性能数据，将增量数据集与虚拟实验数据集进行合并，得到更新实验数据集； 利用更新实验数据集对更新系统用户界面中的正向预测机器学习模型及逆向设计机器学习模型进行训练优化，得到优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型； 基于优化正向预测机器学习模型及优化逆向设计机器学习模型完成基于超级结MOSFET制备的工艺流程数据库构建。

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