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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596428.1，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法是由刘威;梁生逸;魏伟鹏;陈秉睿设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法，第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱内，第三N+注入区、第二P+注入区设置在第一P阱内，第二N+注入区设置在第一N阱和第一P阱之间；第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区对应的三个电极连接在一起形成可控硅阳极，第三N+注入区、第二P+注入区对应的二个电极连接在一起形成可控硅阴极；第一栅极设置在第一P阱表面，第一栅极和可控硅阴极之间通过外接电阻相连。外接电阻和第二N+注入区与栅极的侧边电容形成RC通路，从而起到降低触发电压提高维持电压的作用。

本发明授权一种低触发与高维持的可控硅及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低触发与高维持的可控硅，其特征在于，所述可控硅包括P型衬底、N型深阱、第一N阱、第一P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区和第一栅极； 其中，N型深阱设置在P型衬底上方，第一N阱、第一P阱从左至右设置在所述N型深阱上方； 第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱内，第三N+注入区、第二P+注入区设置在所述第一P阱内，第二N+注入区设置在所述第一N阱和所述第一P阱之间，所述第二N+注入区表面沉淀硅化物阻挡层； 所述第一N+注入区、所述第一P+注入区、所述第二N+注入区对应的三个电极连接在一起形成可控硅阳极，所述第三N+注入区、所述第二P+注入区对应的二个电极连接在一起形成可控硅阴极； 所述第一栅极设置在第一P阱表面，所述第一栅极和可控硅阴极之间通过外接电阻相连； 第一栅极设置在第二N+注入区和第三N+注入区之间； 第一N+注入区设置在远离第二N+注入区左侧位置处，第一P+注入区设置在靠近第二N+注入区左侧位置处； 第三N+注入区设置在靠近第二N+注入区右侧位置处，第二P+注入区设置在远离第二N+注入区右侧位置处。

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