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龙图腾网获悉深圳菲比特光电科技有限公司申请的专利一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511609180.8，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法是由徐周;洪金木设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法，涉及光学元件领域。一种超疏水自清洁光学面板的制备方法，包括以下步骤：S1、对玻璃基板进行清洗，确保表面洁净；S2、将清洗后的玻璃基板放入PECVD反应腔，抽至真空；S3、在玻璃基板上沉积均匀排列且具有类圆锥状的纳米尖峰结构；S4、采用氧等离子体对沉积有纳米尖峰结构的玻璃基板进行活化；S5、在活化后的玻璃基板的纳米尖峰结构上镀制AF防指纹层；纳米尖峰结构的高度范围为200‑300nm，相邻纳米尖峰结构的间距范围为30‑50nm，纳米尖峰结构的纵横比为1.2‑1.5。本申请制备工艺简单且能够制备出稳定性好的超疏水自清洁光学面板。

本发明授权一种超疏水自清洁光学面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超疏水自清洁光学面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、对玻璃基板进行清洗，确保表面洁净； S2、将清洗后的玻璃基板放入PECVD反应腔，抽至真空，排除杂质气体； S3、在玻璃基板上沉积均匀排列且具有类圆锥状的纳米尖峰结构，纳米尖峰结构为氧化硅或氮化硅材料； S4、采用氧等离子体对沉积有纳米尖峰结构的玻璃基板进行活化； S5、在活化后的玻璃基板的纳米尖峰结构上镀制AF防指纹层，得到超疏水自清洁光学面板； 其中，所述纳米尖峰结构的高度范围为200-300nm，相邻纳米尖峰结构的间距范围为30-50nm，纳米尖峰结构的纵横比为1.2-1.5； 所述纳米尖峰结构为氮化硅材料时，S3步骤具体如下：往PECVD反应腔中通入SiH4、NH3和含氟刻蚀气体，经高频电离后在玻璃基板上沉积均匀排列且具有类圆锥状的纳米尖峰结构；具体参数如下：玻璃基板温度为230-250℃，射频功率为300-400W，射频频率为13.56MHz，PECVD反应腔的压强为80-100Pa，含氟刻蚀气体的通入流量为15～25sccm，SiH4、NH3和含氟刻蚀气体的流量比为1-1.5：2-3：1； 所述纳米尖峰结构为氧化硅材料时，S3步骤具体如下：往PECVD反应腔中通入SiH4、N2O和惰性气体，经高频电离后在玻璃基板上沉积均匀排列且具有类圆锥状的纳米尖峰结构；具体参数如下：玻璃基板温度为230-250℃，射频功率为300-400W，射频频率为13.56MHz，PECVD反应腔的压强为3-8Pa，N2O的通入流量为5-10sccm，SiH4、N2O和惰性气体的流量比为8-10：1：100。

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