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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种光楔楔角标定方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121112964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511677325.8，技术领域涉及：G01B15/00；该发明授权一种光楔楔角标定方法、装置及存储介质是由朱凡;王景霖;杨山清;黄晓磊;江润骅;唐华丰;许洛;谭文海;安正杰设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光楔楔角标定方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光楔楔角标定方法、装置及存储介质，涉及光学测量技术领域。光楔楔角标定方法用于对单晶材质的光楔进行楔角标定，标定方法包括步骤：采用扫描电子显微镜对光楔的几何表面进行扫描得到扫描图像，提取扫描图像对应的光强分布图，光强分布图的每个周期对应该表面的一个晶格周期，根据光强周期与像素点的数量关系将几何表面的尺寸溯源至微观的晶格周期尺寸，然后通过表面测量线的几何关系即可计算得到光楔楔角数值；由于本发明中光楔表面尺寸由晶格周期尺寸计算，晶格周期尺寸由晶格常数根据单晶硅晶格的几何关系计算，而单晶材料的晶格常数为极高精度的已知量，因此本发明提出的光楔楔角标定方法具有极高的精度。

本发明授权一种光楔楔角标定方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光楔楔角标定方法，用于标定光楔的楔角，所述光楔为单晶材质，所述光楔包括第一光学工作面、第二光学工作面、顶面和底面，所述顶面和底面平行设置，所述第一光学工作面和第二光学工作面分别连接所述顶面和底面的相对边缘，所述第一光学工作面与所述顶面垂直且与所述第二光学工作面非平行设置，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1，采用扫描电子显微镜沿x轴方向分别对所述顶面和底面进行图像扫描，获得扫描图像；所述x轴垂直于所述第一光学工作面； S2，分别提取所述顶面和底面的扫描图像在x轴方向的光强分布图，统计所述顶面和底面的光强分布图的每个周期对应的像素点数量，并统计所述顶面和底面的扫描图像在x轴方向上包含的像素点数量，根据下式分别计算所述顶面在x轴方向上的尺寸x1和所述底面在x轴方向上的尺寸x2： x1=N1·C11；x2=N2·C12； 式中，C1表示光楔的顶面或底面的晶格周期尺寸；n1和n2分别表示光楔顶面和底面的光强分布图中每个周期对应的像素点数量，N1和N2分别表示光楔顶面和底面的扫描图像在x轴方向上包含的像素点数量； S3，获取所述第一光学工作面在z轴方向上的尺寸h；所述z轴垂直于所述顶面； S4，根据下式计算所述光楔的楔角α： α=arctan|x2-x1|h。

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