中国科学院上海技术物理研究所孙瑞贇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223813567U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202522472161.7，技术领域涉及：C30B19/06；该实用新型用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架是由孙瑞贇设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架在说明书摘要公布了：本实用新型公开了用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架，属于红外半导体材料制备领域，样品架包含：锥形导流底座、微沟槽阵列、SiCSiO22超疏液功能层及热梯度调控模块。工作时预热架体，提拉时熔体沿倒角面受重力回流，微沟槽产生毛细力定向导流，超疏液层降低粘附功，热梯度抑制溶液凝固。应用该样品架可使熔体残留量大幅下降，外延层缺陷密度降低，可用面积提升至95%以上，解决传统LPE生长中的毫米级颗粒残留问题。
本实用新型用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架在权利要求书中公布了：1.用于垂直式碲镉汞液相外延生长的防底部溶液残留样品架，其特征在于，包括： 锥形导流底座：底部边缘设有60°倒角面，倒角面经激光抛光处理； 微沟槽阵列：分布于倒角面上，包括4道深度2mm、间距7.33mm的沟槽，沟槽深宽比为0.67； 超疏液功能层：覆盖于底座及沟槽表面，由化学气相沉积的SiC底层和磁控溅射的SiO2表层复合构成； 热梯度调控模块：包括嵌入底座内部的微型加热器和温度传感器。
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