无锡龙夏微电子有限公司赖海波获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡龙夏微电子有限公司申请的专利一种SOI横向超结功率MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223816413U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-20发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520082353.4，技术领域涉及：H10W76/63；该实用新型一种SOI横向超结功率MOSFET器件是由赖海波;朱开兴;廖伟鹏设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOI横向超结功率MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOSFET器件相关领域，特别是一种SOI横向超结功率MOSFET器件，包括装置本体，所述装置本体内包含外壳体、安装座、引脚组件和盖板组件，所述外壳体上端设置有连接块，所述外壳体上端开设有插接槽且插接槽外侧开设有固定孔，所述安装座固定在外壳体底部，所述安装座两侧开设有若干活动槽且活动槽两侧内壁上开设有导滑槽，所述导滑槽外端下方设置有限位孔，所述引脚组件连接在活动槽内，所述盖板组件设置在插接槽内，能够实现对引脚杆的收缩保护和伸出使用，也可以将引脚杆伸出后旋转使用，便于适应多种不同的安装和连接需求，能够实现对插接盖和密封盖的便捷拆装操作，便于对MOSFET器件内部进行检修维护操作。
本实用新型一种SOI横向超结功率MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种SOI横向超结功率MOSFET器件，其特征在于：包括装置本体1，所述装置本体1内包含外壳体2、安装座3、引脚组件4和盖板组件5，所述外壳体2上端设置有连接块21，所述外壳体2上端开设有插接槽22且插接槽22外侧开设有固定孔23，所述安装座3固定在外壳体2底部，所述安装座3两侧开设有若干活动槽31且活动槽31两侧内壁上开设有导滑槽32，所述导滑槽32外端下方设置有限位孔33，所述引脚组件4连接在活动槽31内，所述盖板组件5设置在插接槽22内。
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