深圳赛意法微电子有限公司鲁强龙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳赛意法微电子有限公司申请的专利功率半导体模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110828432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911265711.0,技术领域涉及:H10W70/40;该发明授权功率半导体模块是由鲁强龙;石晓磊;丁锋设计研发完成,并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块在说明书摘要公布了:本发明公开了一种功率半导体模块,包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导线以及模封体,引线框架包括第一贴片区、第二贴片区、与第一贴片区连接的第一引脚以及与第二贴片区连接的第二引脚,第一芯片贴设于第一贴片区,第二芯片贴设于第二贴片区;第一芯片、第二芯片、第一引脚以及第二引脚之间通过导线连通;第一贴片区、第二贴片区、第一芯片、第二芯片、第一引脚与第一贴片区连接的一端、以及第二引脚与第二贴片区连接的一端均封装于模封体内,第一贴片区贴设有第一芯片的面低于第二贴片区贴设有第二芯片的面。本发明公开的功率半导体模块具有简化了工艺、降低了设备成本、提高了产品的良品率以及散热较佳的优点。
本发明授权功率半导体模块在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体模块,其特征在于:包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导线以及模封体,所述引线框架包括第一贴片区、设于所述第一贴片区一侧的第二贴片区、设于所述第一贴片区远离所述第二贴片区一侧并与所述第一贴片区连接的第一引脚、以及与所述第二贴片区连接的第二引脚,所述第一芯片贴设于所述第一贴片区,所述第二芯片贴设于所述第二贴片区;所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一引脚以及所述第二引脚之间通过所述导线连通;所述第一贴片区、所述第二贴片区、所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一引脚与所述第一贴片区连接的一端、以及所述第二引脚与所述第二贴片区连接的一端均封装于所述模封体内,所述第一贴片区贴设有所述第一芯片的面低于所述第二贴片区贴设有所述第二芯片的面; 定义所述引线框架贴设有所述第一芯片和所述第二芯片的一面为顶面,与所述顶面相背的一面为底面,所述引线框架还包括弯折连接部,所述第一贴片区与所述第二贴片区在垂直于所述顶面的方向上平行间隔设置,所述弯折连接部从所述第一引脚朝向所述底面的一侧弯折并连接所述第一贴片区; 所述第一芯片为功率芯片,所述第二芯片为驱动芯片; 所述第一芯片的底部通过锡线固定于所述第一贴片区; 所述模封体以所述引线框架为界包括为位于顶面一侧的上半模封体和位于所述底面一侧的下半模封体,所述上半模封体对应所述第一贴片区处设有通槽; 所述通槽位于所述第一贴片区靠近所述第二贴片区的一侧或者所述通槽位于所述第一贴片区靠近所述第一引脚的一侧。
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