台湾积体电路制造股份有限公司苏焕杰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910894197.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置是由苏焕杰;徐崇威;林志昌;余佳霓;吴伟豪;林佑明;王志豪;江国诚设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括：半导体层。栅极结构位于半导体层上。间隔物位于栅极结构的侧壁上。间隔物的高度大于该栅极结构的高度。衬垫层位于栅极结构与间隔物上。间隔物与衬垫层的材料组成不同。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一半导体层； 一栅极结构，位于该半导体层上； 一层间介电层； 一间隔物，位于该栅极结构与该层间介电层之间，其中该间隔物的高度大于该栅极结构的高度但小于该层间介电层的高度； 一衬垫层，位于该栅极结构、该间隔物、与该层间介电层的侧壁的一部分上，其中该间隔物与该衬垫层的材料组成不同；以及 一介电结构位于该衬垫层上， 其中： 该栅极结构位于该间隔物的一第一部分的侧壁上， 该衬垫层位于该间隔物的一第二部分的侧壁上，其中该第二部分位于该第一部分上，以及 该介电结构与该衬垫层具有不同的材料组成，其中该介电结构具有T形的剖视轮廓，其中该介电结构包括一第一部分与位于该第一部分上的一第二部分；以及该第二部分的介电常数大于该第一部分的介电常数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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