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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010398117.5，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法是由H·H·张;S·L·吴;S·K·李;F·M·卢姆;M·穆罕默特萨努西;M·C·吴;A·索里亚诺设计研发完成，并于2017-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法在说明书摘要公布了：一种模制的半导体封装体包括：模制化合物，其具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面以及在所述第一与第二主表面之间延伸的边缘。半导体芯片嵌入在所述模制化合物中。多个金属焊垫也嵌入在所述模制化合物中并电连接至所述半导体芯片。所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述第二主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面。设置在所述模制的封装体的周边的所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面。所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的所述面被镀覆。设置在所述模制的封装体的周边的每个金属焊垫的所述侧面从所述模制化合物的所述边缘向内凹进。还对一种相应的制造方法进行了描述。

本发明授权制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造模制的半导体封装体的方法，所述方法包括： a提供包括模制化合物的模制的半导体衬底，半导体芯片和金属焊垫嵌入在所述模制化合物中，每个金属焊垫电连接至所述半导体芯片中的相应的一个并且在所述模制化合物的第一主表面处未被所述模制化合物覆盖； b将所述模制的半导体衬底单个化成单个的模制的封装体，所述单个的模制的封装体中的每个均包括一个或一个以上的半导体芯片以及相应的金属焊垫，每个金属焊垫均具有在所述第一主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面，设置在每个模制的封装体的周边的所述金属焊垫还具有在单个化所述模制的封装体所沿的边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面； 在步骤b之后执行： c将所述模制的封装体浸渍于化学浴中，当所述模制的封装体浸渍于所述化学浴中时，所述化学浴通过从所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的面蚀刻掉约3至15微米的金属使每个金属焊垫的所述底面变粗糙并从设置在每个模制的封装体的周边的所述金属焊垫的所述侧面去除毛刺；以及 d在将所述模制的封装体浸渍于所述化学浴中之后，对所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的面进行镀覆。

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