英飞凌科技奥地利有限公司H·韦伯获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利用于操作超结晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010153988.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权用于操作超结晶体管器件的方法是由H·韦伯;C·法赫曼;F·赫勒;M-A·库查克;A·里格勒尔设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于操作超结晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：公开了一种用于操作超结晶体管器件的方法和晶体管装置。该方法包括在二极管状态下操作超结晶体管器件，其中在二极管状态下操作超结晶体管器件包括在晶体管器件的至少一个晶体管单元10的漂移区11和与漂移区11的掺杂类型互补的掺杂类型的补偿区21之间施加不同于零的偏置电压VDEPDEP。补偿区21邻接漂移区11，并且偏置电压VDEPDEP的极性使得漂移区11和补偿区21之间的pn结被反向偏置。
本发明授权用于操作超结晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 在二极管状态下操作超结晶体管器件， 其中，在所述二极管状态下操作所述超结晶体管器件包括在所述超结晶体管器件的至少一个晶体管单元的漂移区和与所述漂移区的掺杂类型互补的掺杂类型的补偿区之间施加不同于零的偏置电压，并且在所述二极管状态下操作所述超结晶体管器件还包括在源极节点和漏极节点之间施加电压，以使得所述至少一个晶体管单元的主体区和所述漂移区之间的pn结被正向偏置， 其中，所述补偿区邻接所述漂移区， 其中，所述偏置电压的极性使得所述漂移区和所述补偿区之间的pn结被反向偏置。
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