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龙图腾网获悉杭州华芯微科技有限公司申请的专利一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111900198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010936421.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法是由张峰;冯羽设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好。

本发明授权一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，其特征在于，包括： 准备支撑衬底和键合衬底； 将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化，所述键合衬底位于支撑衬底之上； 对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理； 将所述键合衬底减薄到需要的厚度； 对所述键合衬底进行抛光； 在所述键合衬底上制作器件P+层、有源区、多晶硅栅极以及器件N+层； 在所述器件N+层上通过刻蚀工艺开出接触孔； 制作正面金属层，正面金属层覆盖所述接触孔、器件N+层以及和多晶硅栅极； 制作背面金属层； 所述支撑衬底的电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率15ohm.cm，键合衬底为50~250um，厚度均匀性为2um； 所述支撑衬底和键合衬底进行键合时，通过清洗工艺在所述支撑衬底和键合衬底表面形成均匀的氧化层作为媒介层，媒介层厚度小于5埃，然后高温退火固化在900~1200℃下进行20~50min； 所述多晶硅栅极的厚度为6000~10000埃，电阻率6~15ohmsqr。

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