瑞萨电子株式会社清水二二男获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件以及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010431545.3，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件以及半导体器件的制造方法是由清水二二男;可知刚;吉田芳规设计研发完成，并于2020-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种具有绝缘栅极场效应晶体管的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。在半导体衬底SUB的一个主表面侧的第一区域内限定的单元区域EFR中，形成绝缘栅极型场效应晶体管MFET；在第一区域内限定的栅极焊盘区域GPR中，限定形成缓冲电路SNC的缓冲区域SNR。在第一区域和第二区域内，形成彼此间隔开的第一深沟槽和第二深沟槽，并且在第二区域中形成的多个第二深沟槽的至少一个宽度，小于在第二区域中形成的第一深沟槽的宽度。
本发明授权半导体器件以及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面； 绝缘栅极场效应晶体管，设置在所述半导体衬底的第一区域中；以及 缓冲电路，设置在不同于所述第一区域的第二区域中； 其中所述缓冲电路包括由在所述第二区域中的扩散层形成的电阻器和电容器； 其中在平面视图中彼此间隔开的多个第一深沟槽被形成在所述第一区域中； 其中在平面视图中彼此间隔开的多个第二深沟槽被形成在所述第二区域中； 其中所述多个第一深沟槽中的每个第一深沟槽具有第一宽度； 其中所述多个第二深沟槽中的每个第二深沟槽具有第二宽度；并且其中所述第二区域中的所述第二深沟槽中的至少一个第二深沟槽的所述第二宽度小于所述第一区域中的所述多个第一深沟槽中的至少一个所述第一深沟槽的所述第一宽度，并且 其中具有所述第一宽度的所述多个第一深沟槽和具有所述第二宽度的所述多个第二深沟槽是比在半导体衬底中形成的栅极沟槽更深的沟槽。
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