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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010823880.8，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构是由B.佐普;E.C.史蒂文斯;S.斯瓦米纳坦;R.洛菲;M.穆罕默德;E.希罗设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构在说明书摘要公布了：公开了用于在衬底表面上形成多晶钼膜的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；将成核膜直接沉积在衬底的暴露表面上，其中成核膜包含金属氧化物成核膜或金属氮化物成核膜中的一种；以及将多晶钼膜直接沉积在成核膜上；其中多晶钼膜包含多个具有小于的平均微晶尺寸的钼微晶。还公开了包括安置在具有中间成核膜的衬底表面上的多晶钼膜的结构。

本发明授权形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构在权利要求书中公布了：1.一种用于在衬底表面上形成多晶钼膜的方法，所述方法包含： 将衬底提供到反应室中； 将成核膜直接沉积在所述衬底的暴露表面上，其中所述成核膜包含金属氧化物成核膜，其中所述金属氧化物成核膜包含以下中的至少一种：氧化铝成核膜、氧化钨成核膜、氧化钌成核膜、氧化铼成核膜或氧化铱成核膜，并且所述金属氧化物成核膜具有小于50Å的平均膜厚度；以及 将多晶钼膜直接沉积在所述成核膜上； 其中所述多晶钼膜包含多个具有小于80埃的平均微晶尺寸的钼微晶， 在沉积所述成核膜之前对所述衬底的所述暴露表面执行预处理工艺，所述预处理工艺包括使所述衬底与预处理气体接触，所述预处理气体包括铝组分、硅组分、水蒸气、或氨气、或其组合， 其中所述衬底的所述暴露表面包括多个竖直非平面特征和多个线特征，其中在所述成核膜和所述多晶钼膜沉积后所述多个线特征的线弯曲百分比小于20%， 其中，所述线弯曲百分比定量由所述多晶钼膜沉积在所述衬底上所引起的线弯曲程度， 其中，所述线弯曲百分比由以下等式计算： 线弯曲百分比%=偏移间距x100， 其中，所述偏移等于在所述沉积后所述非平面特征的平均宽度减去在所述沉积前所述非平面特征的平均宽度的绝对值， 其中，所述间距被定义为一个线特征的中间竖直轴线与相邻线特征的中间竖直轴线之间的距离。

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